04/08/2026

Samsung anuncia chip de memória de alto desempenho para IA

Por CNN Brasil

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A Samsung Eletronics apresentou nesta terça-feira (4) uma nova geração de tecnologia de memória para inteligência artificial, buscando reforçar sua liderança na fabricação de chips no mercado de IA.

A maior fabricante mundial de chips de memória escolheu a conferência Future of Memory and Storage (FMS) deste ano, em Santa Clara, na Califórnia, para apresentar seu protótipo V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND. O chip possui mais de 400 camadas e uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade de armazenamento e impulsionar o desempenho.

Com a expansão das cargas de trabalho de IA, que vão além do treinamento de grandes modelos de linguagem e abrangem também o processo de geração de respostas a consultas de usuários, a demanda por memória NAND de alta capacidade aumentou. A memória flash NAND é usada para armazenar dados como fotos, vídeos e aplicativos em dispositivos como smartphones.

A empresa afirmou que sua tecnologia BV-NAND aumenta a densidade de memória em cerca de 58% em relação à sua tecnologia V9 NAND anterior, ao mesmo tempo que melhora o desempenho de leitura, gravação e entrada/saída para atender à crescente demanda de sistemas de IA que exigem armazenamento de maior capacidade e mais eficiente em termos de energia.

A Samsung também apresentou modelos conceituais do que descreveu como a primeira arquitetura zHBM e zNAND-O do setor, delineando sua visão para a memória 3D de próxima geração, que empilha células de memória verticalmente para armazenar mais dados.

Ao contrário da memória de alta largura de banda convencional, que é colocada junto aos processadores de IA, a zHBM da Samsung empilha a memória verticalmente acima dos aceleradores de IA para reduzir a distância percorrida pelos dados, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética.

A Samsung afirmou que sua tecnologia de colagem de wafers pode permitir uma densidade de memória mais de 10 vezes maior que a da memória HBM5 convencional, triplicando a eficiência energética e reduzindo a resistência térmica em mais da metade.

Embora alguns investidores tenham manifestado preocupação com a demanda de longo prazo por chips de memória, uma vez que a demanda por smartphones na China diminua, analistas apontaram para uma demanda excepcionalmente forte por inteligência artificial.

A robustez da demanda por IA foi enfatizada pela divulgação da Samsung na semana passada, de que os contratos de longo prazo com clientes podem eventualmente representar de 60% a 70% de suas vendas de memória.

Analistas do Citi afirmaram em nota no mês passado que os estoques em ambas as cadeias de suprimentos de DRAM e NAND permaneceram bem abaixo dos níveis históricos, apesar das preocupações com a desaceleração da demanda do mercado consumidor.


Conteúdo reproduzido originalmente em: CNN Brasil por vitoriagomez.

Conteúdo Original / Fonte: vitoriagomez

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